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（1）如图a所示锥状BiVO4的（112）和（004）相对衍射强度与标准ms-BiVO4不同，运气也表明锥状BiVO4具有倾向于（004）晶面生长的取向。运气也（2）通过第一性原理计算获得DOS,可为实验所得光谱提供峰的归属解释。

基于X射线衍射，运气也高分辨TEM晶格条纹及上述X射线吸收谱的结果与密度泛函理论计算相结合，提出该形貌尖端钒酸铋（112）晶面富集的模型。【引言】 用于产氧反应的BiVO4的光电效率较其他窄带隙半导体，运气也仍然普遍低于或远低于理论值，这主要是由于钒酸铋较差的电荷分离能力。图2锥状形貌尖端的电荷积累——变角度OK-edgeXAS吸收谱（1）通过b图紫色掠入射吸收谱所示，运气也来自磷酸盐中氧元素的贡献导致538eV处峰形显著增强，运气也可以证实CoPi确实只沉积在最尖端之上，不同于电化学沉积过程得到的CoPi沿材料表面均匀附着。

由此可见锥状钒酸铋尖端与存在两个3d电子的三氧化二钒相近，运气也可知在材料的生长过程中存在自发/本征的3d电子聚集在锥状尖端。通过综合运用基于同步光源的软X射线谱学表征手段，运气也为这一新颖结构及性能提升等一系列实验现象，给出了机理解释并阐明其构效关系。

【小结】通过开展基于同步辐射光源的变角度X射线吸收谱表征，运气也直接观测到纳米锥状钒酸铋阵列的尖端具有本征自发的3d电子富集现象，运气也较底部具有3d0电子形态的钒酸铋，可形成一电势从而驱动在光催化分解水反应过程中光生空穴向尖端迁移，不仅减轻了光生空穴与光生电子复合的问题，同时光生空穴在尖端本征富集的3d电子的诱导下向尖端迁移，可提供与助产氧催化剂CoPi紧密结合的位点。

（3）根据其形貌特征，运气也从变角度吸收谱测试入手研究，通过d图可以见得略入射更多反应样品尖端信息。在清代满族几乎家家修谱，运气也是满族家谱的鼎盛时期。

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